题目：

时间：2021-03-19

地点：电院群楼5号楼214

垂直腔面发射激光器（VCSEL）长期以来一直被公认为是低成本可量产的半导体激光芯片，适用于包括光通信，传感和成像在内的许多应用。但VCSEL的反射镜通常是分布式的布拉格反射器（DBR），用数十层交替折射系数的外延层制成、所以工艺耗时而良率受限。我们发明了一种单层、薄膜式的高折射率对比光栅（HCG）来代替VCSEL结构中的百层DBR，并且得到高功率、小发散角等重要特质。将这种高对比光栅的微结构二维化，我们开发了一系列微结构薄膜（高对比超结构HCM）平面光学器件，包括光束转向装置，表面光学调制器，变色薄膜，高聚焦力透镜和衍射光学元件。本次演讲将讨论HCG-VCSEL阵列的最新结果及基于光通信、3D感应、LIDAR方面应用的未来前景。详情>>

题目：硅基和SOI基直接外延的III-V族量子点激光器

时间：2021-01-26

地点：电院1-418会议室

随着微电子器件的尺寸日益逼近其物理极限，摩尔定律很难进一步延续，硅集成电路的发展面临着巨大的挑战和机遇。硅基光电子集成旨在将光子学器件和电子学器件集成在硅晶片上，把CMOS工艺兼容的激光器、 光调制器、光波导和光探测器等组件集成到微电子电路上从而实现硅基光电子集成。它兼具光子学器件的高传输处理速度、高传输带宽和电子学器件的低成本、微尺寸、高集成度等特质，有望给信息产业领域注入新的生机和活力，吸引了大量科学家和工程师的研究兴趣。然而，由于硅是间接带隙半导体，不具良好的发光特性，因此实现硅基光电子集成的首要任务是如何实现硅基高效率发光且具备CMOS兼容性的激光光源。通过利用特殊的硅基图形结构和III-V族/IV族混合外延生长技术，实现了硅基和SOI基高质量InAs量子点电泵浦激光器和微腔激光器的制备，为未来硅基光电芯片集成铺垫了道路。详情>>

题目：量子纠缠的分类、度量及其应用

时间：2020-11-18

地点：电院5号楼214会议室

报告人——北京大学物理学院现代光学研究所研究院何琼毅。该报告将重点介绍我们在量子导引的判定、度量、分发，及其在量子隐形传态、量子秘密共享、非高斯态制备等方面应用的研究进展。目前多体量子导引判定依据、高斯量子导引分配约束关系、利用可分态分配量子导引等理论，已经与实验组合作获得了实验验证。详情>>

题目：Design and Optimisation of Next generation Compact Photonic Sensors

时间：2019-10-28

地点：电信群楼5-214

Although optical sensors incorporating grating inscribed and etched fibres are now sufficiently mature and well established in the market, however, 详情>>